平面电容传感器在探测材料损伤中的研究

• 作者: 宋濛 李晓钰 谢宁宁 陈向东
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 三电极平面电容传感器 ANSYS 损伤深度 损伤区域 探测
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 497-500,515
• 分类号: TP212.41
• 字数: 2534字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.07.001

摘要

通过ANSYS软件分析了平面电容传感器电容量与极板宽度和极板间距的关系,并选择合适的平面电容传感器探头的尺寸.针对非金属材料表面下水损伤的检测,提出了一种结构简单、操作方便的三电极平面电容传感器检测法.根据平面电容传感器检测材料相对介电常数的变化,深入研究了非金属材料表面下水柱损伤深度和水柱损伤区域大小对电容量的影响.仿真和初步实验结果表明,在一定范围内,测得的电容值随着水柱损伤深度和损伤区域大小的变化而变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈向东	西南交通大学信息科学与技术学院	159	826	13.0	17.0
2	李晓钰	西南交通大学信息科学与技术学院	5	66	4.0	5.0
3	谢宁宁	西南交通大学信息科学与技术学院	3	32	3.0	3.0
4	宋濛	西南交通大学信息科学与技术学院	1	15	1.0	1.0