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摘要:
简述了SiC宽禁带半导体材料的特性,通过与传统Si半导体材料相比较,该材料在击穿电场强度、截止频率、热传导率、抗辐射能力、结温和热稳定性等方面具有明显优势.SiC宽禁带功率器件在输出功率、功率密度、工作频率、环境适应性等方面具有卓越的性能,在雷达发射机中有良好的应用前景.文中利用SiC宽禁带功率器件设计制作了L波段1 kW功率放大器,对SiC宽禁带功率放大器进行了性能测试,根据实验数据分析了SiC宽禁带功率器件对固态雷达发射机性能的改善.
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文献信息
篇名 1kW宽带线性SiC功率放大器设计
来源期刊 现代雷达 学科 工学
关键词 SiC功率器件 固态功率放大器 宽禁带 雷达发射机
年,卷(期) 2011,(7) 所属期刊栏目 收/发技术
研究方向 页码范围 68-71
页数 分类号 TN722.7+5
字数 3261字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-7859.2011.07.018
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 余振坤 10 122 6.0 10.0
2 刘晗 3 19 3.0 3.0
3 张毅 3 4 1.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
SiC功率器件
固态功率放大器
宽禁带
雷达发射机
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
现代雷达
月刊
1004-7859
32-1353/TN
大16开
南京3918信箱110分箱
28-288
1979
chi
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