沉积条件对氢化锂薄膜形貌和沉积速率的影响

• 作者: 段涛 邢丕峰 闫正洲 雷洁红
• 来源期刊: 激光技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜 沉积条件 沉积速率 表面形貌 脉冲激光沉积
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 激光材料和光学元件
• 页码范围: 535-538
• 分类号: O484.5
• 字数: 2643字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3806.2011.04.023

摘要

为了研究沉积条件对氢化锂薄膜沉积速率和表面形貌的影响,采用脉冲激光沉积方法在Si(100)基片上沉积了氢化锂薄膜.通过改变靶基距和氢压等手段来控制薄膜的沉积速率,得到了氢压与沉积速率和薄膜表面质量的关系.结果表明,随着氢压和靶基距的增加,氢化锂薄膜的沉积速率逐渐下降;适当增加氢压可以降低氢化锂薄膜的表面粗糙度.从薄膜生长机理出发,探讨了表面粗糙度与氢压的关系,发现理论与实验值的拟合结果非常接近.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邢丕峰	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	59	303	9.0	14.0
2	段涛	西南科技大学核废物与环境安全国防重点学科实验室	59	398	9.0	18.0
3	雷洁红	西华师范大学物理与电子信息学院	24	42	3.0	5.0
7	闫正洲	西华师范大学物理与电子信息学院	10	12	2.0	3.0