真空蒸镀多晶硅薄膜工艺对其组织和性能的影响

• 作者: 付传起 室谷贵之(日) 曹健 王宙
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: 真空蒸镀 退火 多晶硅薄膜
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 工艺研究
• 页码范围: 83-85
• 分类号: TG174.444|O484.4
• 字数: 2249字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3660.2011.02.025

摘要

采用真空蒸镀并退火的方法制备多晶硅薄膜,采用透射电子显微镜对退火前后的样品进行了表征,通过原子力显微镜观察了薄膜的形貌,并测试了薄膜的耐压性能,分析了基板温度、基板距离和退火工艺对薄膜组织和性能的影响.实验结果表明:真空蒸镀所得薄膜为非晶硅薄膜,退火处理可使其多晶化,晶粒尺寸达0.5μm;基板温度120℃、基板距离60 mm为最佳工艺条件,采用该工艺所得多晶硅薄膜的耐压值可达384.2 V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	付传起	大连大学表面工程中心	34	129	7.0	9.0
2	王宙	大连大学表面工程中心	41	226	10.0	12.0
3	曹健	大连大学表面工程中心	2	7	2.0	2.0
4	室谷贵之(日)	大连大学表面工程中心	1	4	1.0	1.0