S波段GaN大功率放大器的设计与实现

• 作者: 周永伟 杨斐 王海涛 马云柱
• 来源期刊: 火控雷达技术
• 学科: 工学
• 关键词: S波段 GaN MOSFET 宽禁带
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 接收／发射技术
• 页码范围: 86-90
• 分类号: TN74
• 字数: 2664字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-8652.2011.03.018

摘要

本文介绍了基于新型GaN宽禁带半导体材料的大功率器件的特点和优势，采用微波仿真软件ADS对一款S波段的GaNMOSFET进行优化仿真设计，得到了良好的仿真结果，并给出了该功放的实物和测试数据。测试结果表明，该功放适用于2．1～2．7GHz，功率量级为IOOW，连续波和脉冲制式均可工作，对GaNMOSFET功率器件高增益、高效率、宽带宽的优异性能得以验证和实现。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王海涛		16	61	4.0	7.0
2	周永伟		4	8	1.0	2.0
3	马云柱		11	21	2.0	4.0
4	杨斐		6	19	3.0	4.0