低温搪瓷密着结构研究

• 作者: 李景学 蒋伟忠 钱蕙春
• 来源期刊: 上海应用技术学院学报：自然科学版
• 学科: 工学
• 关键词: 低温 搪瓷 密着 界面
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 129-132
• 分类号: TQ173.751|TQ173.48
• 字数: 3175字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-7333.2011.02.010

摘要

将CoO、NiO、CuO、FeO等多种密着剂引入到搪瓷釉,采用B2O3、TiO2等取代部分SiO2、Al2O3,研制出搪瓷烧成温度低、密着性能优良的低温搪瓷。通过场发射扫描电镜和能谱仪分析表明,密着性能优良的低温搪瓷界面存在搪瓷釉层与金属铁层相互镶嵌和Fe、Si、Co、Ni、Na、K、O等元素相互扩散的中间过渡层,中间过渡层的存在为低温搪瓷产生优良密着创造条件。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋伟忠	东华大学材料科学与工程学院	86	174	7.0	10.0
2	钱蕙春	上海应用技术学院材料科学与工程学院	30	110	6.0	8.0
3	李景学		5	9	2.0	3.0