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摘要:
随着半导体技术的发展,芯片特征尺寸缩小到深亚微米和纳米时,铜互连技术在集成电路的设计和制造中成为主流技术,从而对高纯铜靶材的要求越来越高.从靶材制造的角度利用材料学的知识对铜靶材的晶体结构、纯度、致密度、微观组织及焊接性能等方面作了分析,并且较全面地分析了可能影响靶材溅射性能的很多关键因素,从而为靶材供应商和集成电路制造商对于铜靶材的了解搭建了桥梁,为进一步开发超大尺寸的高纯铜靶材打下基础.
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内容分析
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文献信息
篇名 集成电路互连线用高纯铜靶材及相关问题研究
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 集成电路IC 互连线 焊接强度 铜靶材 溅射
年,卷(期) 2011,(11) 所属期刊栏目 材料与器件
研究方向 页码范围 826-830
页数 分类号 TG146.11
字数 5420字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.11.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 何金江 10 63 5.0 7.0
3 王欣平 15 69 5.0 8.0
5 高岩 3 17 2.0 3.0
9 董亭义 6 33 4.0 5.0
17 蒋宇辉 1 11 1.0 1.0
传播情况
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引文网络
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2019(3)
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2020(4)
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研究主题发展历程
节点文献
集成电路IC
互连线
焊接强度
铜靶材
溅射
研究起点
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期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
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