纳米硅/铝氧化物杂化聚酰亚胺薄膜的制备与电性能研究

• 作者: 梁凤芝 范勇 陈昊 陈磊
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: 聚酰亚胺 硅铝氧化物 无机杂化 电性能
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与应用
• 页码范围: 1-4
• 分类号: TM215|TQ323.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-9239.2011.01.001

摘要

采用水热法制备纳米氧化铝溶胶,溶胶-凝胶法制备氧化硅溶胶,并将两者掺杂到聚酰亚胺(PI)基体中.实验中固定无机物掺杂总量为24%,通过调整纳米硅/铝氧化物的摩尔比,制备出一系列的无机纳米杂化聚酰亚胺薄膜.利用扫描电子显微镜(SEM)、耐电晕测试装置、耐击穿测试装置对薄膜进行了表征与测试.结果表明:硅溶胶掺杂量较小时,纳米粒子能较好地分散在聚酰亚胺基体中;杂化薄膜的耐电晕时间比纯膜有较大幅度提高,硅/铝摩尔比为1:13时,耐电晕时间达到62.15 h;随着硅溶胶掺杂量的增加,杂化薄膜的击穿强度先减小后增大,但均比纯膜的低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范勇	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	70	539	13.0	18.0
2	陈昊	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	32	202	8.0	12.0
3	陈磊	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	4	22	3.0	4.0
4	梁凤芝	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	2	12	2.0	2.0