单晶硅衬底异质外延3C-SiC薄膜研究进展

• 作者: 刘学超 施尔畏 朱明星 杨建华 石彪 陈义
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: 3C-SiC 化学气相沉积 异质外延 缺陷
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 1083-1088
• 分类号: TQ171
• 字数: 3868字
• 语种: 中文

摘要

3C-SiC薄膜的外延生长一直是SiC材料制备领域的一个热点,单晶Si衬底异质外延3C-SiC是实现大尺寸、低成本薄膜的有效方法,备受人们关注.单晶Si与3C-SiC之间存在较大的晶格失配(20％)和热膨胀系数差异(8％),严重制约着高质量单晶薄膜的制备.本文对单晶Si衬底异质外延3C-SiC薄膜的基本原理和工艺过程进行了总结,着重介绍了薄膜生长中的缺陷和可控掺杂方面的研究进展以及面临的挑战,并对今后的研究热点做了归纳展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨建华	中国科学院上海硅酸盐研究所	41	367	10.0	18.0
2	陈义	中国科学院上海硅酸盐研究所	77	763	15.0	24.0
3	施尔畏	中国科学院上海硅酸盐研究所	71	1736	25.0	41.0
4	刘学超	中国科学院上海硅酸盐研究所	13	94	4.0	9.0
5	石彪	中国科学院上海硅酸盐研究所	14	60	5.0	7.0
9	朱明星	中国科学院上海硅酸盐研究所	3	10	2.0	3.0