蓝紫色LD的远场特性仿真分析

• 作者: 郭文文
• 来源期刊: 电子测试
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 蓝紫色LD 远场特性 量子阱
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 68-72
• 分类号: TN248.4
• 字数: 1916字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-8519.2011.01.016

摘要

本文介绍了半导体激光器的发展过程和应用领域,以及基本工作原理.对蓝紫色半导体激光器的基本结构和远场特性进行了描叙,给出了远场模场表达式,计算出基于亥姆霍兹方程的严格远场解.根据远场模场表达式和严格远场解,应用CrossLight公司的LASTIP仿真软件,对蓝紫色LD(InGaN)的远场特性进行仿真,得到了蓝紫色LD的V-I特性图、P-I特性图、能带图、发散角图及远场特性图,并对结果进行了分析,最后得出了结论,对蓝紫色LD的实际应用有及其重要的指导作用和现实依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭文文	南京邮电大学通信与信息工程学院	1	4	1.0	1.0