MEMS THz滤波器的制作工艺

• 作者: 席仕伟 施志贵 李红 赵兴海 赵龙 郑英彬
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 微电子机械系统(MEMS) 滤波器 太赫兹(THz) 干法刻蚀 键合
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 399-402
• 分类号: TN703
• 字数: 1692字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2011.06.010

摘要

基于MEMS技术制作了太赫兹(THz)滤波器样品,研究了制作滤波器的工艺流程方案,其关键工艺技术包括硅深槽刻蚀技术、深槽结构的表面金属化技术、阳极键合和金-硅共晶键合技术.采用4 μm的热氧化硅层作刻蚀掩膜,成功完成了800 μm的深槽硅干法刻蚀;采用基片倾斜放置、多次离子束溅射和电镀加厚的方法完成了深槽结构的表面金属化,内部金属层厚度为3～5 μm;用硅-玻璃阳极键合技术和金-硅共晶键合技术实现了三层结构、四面封闭的波导滤波器样品加工.测试结果表明,研制的滤波器样品中心频率138 GHz,带宽15 GHz,插损小于3 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵龙	中国工程物理研究院电子工程研究所	18	97	6.0	9.0
2	席仕伟	中国工程物理研究院电子工程研究所	12	59	4.0	7.0
3	赵兴海	中国工程物理研究院电子工程研究所	34	240	9.0	14.0
4	郑英彬	中国工程物理研究院电子工程研究所	22	115	7.0	9.0
5	施志贵	中国工程物理研究院电子工程研究所	20	121	7.0	10.0
6	李红	中国工程物理研究院电子工程研究所	5	18	2.0	4.0