铜线键合Cu/Al界面金属间化合物微结构研究

• 作者: 从羽奇 刘兴杰 张滨海 王家楫 王德峻
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 封装 铜线键合 微结构 金属间化合物 扩散
• 年，卷（期）: 2011,（11）
• 所属期刊栏目: 封装、检测与设备
• 页码范围: 880-884
• 分类号: TN305.96
• 字数: 3140字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.11.015

摘要

由于铜线具有较高的热导率、卓越的电学性能以及较低的成本,被普遍认为将逐渐代替传统的金线而在IC封装的键合工艺中得到广泛的应用.铜线键合工艺中Cu/Al界面金属间化合物(IMC)与金线键合的Au/Al IMC生长情况有很大差别,本文针对球焊键合中键合点的Cu/Al界面,将金属间化合物生长理论与分析手段相结合,研究了Cu/A1界面IMC的生长行为及其微结构.文中采用SEM测试方法,观察了IMC的形貌特点,测量并得到了IMC厚度平方正比于热处理时间的关系,计算得到了生长速率和活化能数值,并采用TEM,EDS等测试手段,进一步研究了IMC界面的微结构、成分分布及其金相结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王家楫	复旦大学材料科学系	25	114	6.0	9.0
2	王德峻		4	23	4.0	4.0
3	从羽奇		4	23	4.0	4.0
4	张滨海	复旦大学材料科学系	4	24	4.0	4.0
5	刘兴杰	复旦大学材料科学系	1	6	1.0	1.0