HVDC换流系统屏蔽罩寄生电容提取

• 作者: 刘士利 孙静 王泽忠
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 寄生电容 屏蔽罩 倒角 边界元 提取
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 电力系统
• 页码范围: 201-206
• 分类号: TM151.3
• 字数: 2651字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6753.2011.02.030

摘要

高压直流输电(HVDC)换流阀屏蔽罩的寄生电容对换流系统的宽频电路性能有重大影响,快速准确地提取屏蔽罩电容参数是目前HVDC国产化需要掌握的关键技术之一.将间接边界元方法用于换流阀屏蔽罩寄生电容参数的提取,从场分析角度,提出了用平面模拟倒角曲面的模型简化方法.针对国内某直流换流站,建立了屏蔽罩倒角和不倒角的仿真模型,对比计算了不同倒角情况下的寄生电容,分析了倒角对电容参数的影响.计算结果表明,该模型简化方法保证了计算精度,降低了建模难度和计算代价,为大尺寸金属架构的电容计算提供了一种便捷、可行的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王泽忠	华北电力大学高电压与电磁兼容北京市重点实验室	92	974	19.0	27.0
2	孙静	华北电力大学高电压与电磁兼容北京市重点实验室	8	99	5.0	8.0
3	刘士利	华北电力大学高电压与电磁兼容北京市重点实验室	4	84	4.0	4.0