B-Si-Pb玻璃掺杂PBSNF-PZT压电陶瓷的性能研究

• 作者: 吕文中 王莹 范桂芬
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 压电陶瓷 玻璃掺杂 压电性能
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 18-21
• 分类号: TM282
• 字数: 3555字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2011.07.005

摘要

通过传统固相反应法合成了P)b0.95Ba0.05[(Sb0.6Fe0.4)0.5Nb0.5]0.02Zr0.52Ti0.48O3(PBSNF-PZT)压电陶瓷，研究了B-Si-Pb(B2O3-SiO2-PbO)玻璃掺杂对PBSNF-PZT陶瓷结构及性能的影响。结果表明，掺杂少量B-Si-Pb玻璃后，所制PBSNF-PZT陶瓷的结构未改变，仍为四方相的钙钛矿型铁电体，晶粒尺寸降低，压电性能和介电性能改善，烧结温度降低。玻璃掺杂量为质量分数0.5％，在1 150℃烧结所制的PBSNF-PZT陶瓷综合性能较好：εr=1 950，tanδ=0.016，d33=470 pC/N，k31=0.40，适用于对灵敏度要求较高的压电驱动器件。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王莹	华中科技大学电子科学与技术系	73	240	9.0	13.0
2	吕文中	华中科技大学电子科学与技术系	87	901	15.0	26.0
3	范桂芬	华中科技大学电子科学与技术系	18	74	5.0	8.0