深亚微米体硅器件电离辐射及退火与温度的相关性研究

• 作者: 尹雪梅 师谦 李斌
• 来源期刊: 电子质量
• 关键词: 温度 退火效应 总剂量效应 电离辐射
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 可靠性分析
• 页码范围: 18-20
• 分类号: TN381.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0107.2011.03.007

摘要

对经过Co60不同剂量剂量率辐照的体硅MOS器件(NMOSFET与PMOSFET)分别进行了室温和高温下的退火实验,并对退火结果进行分析,讨论了退火温度对MOS器件阈值电压及辐射感生的氧化层陷阱电荷与界面态电荷产生的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李斌	华南理工大学微电子研究所	128	542	12.0	17.0
2	师谦		11	64	5.0	8.0
3	尹雪梅	吉林大学珠海学院电子信息系	6	4	1.0	2.0