VGF法生长4英寸GaAs单晶固液界面形状和热应力的数值模拟研究

• 作者: 丁国强 张峰燚 涂凡 王思爱 苏小平 黎建明
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 物理学
• 关键词: 数值模拟 垂直梯度凝固技术 GaAs 固液界面 热应力
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 388-393
• 分类号: O472
• 字数: 2415字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2011.03.013

摘要

采用专业晶体生长数值模拟软件CrysMas,模拟了垂直梯度凝固法(VGF)生长4英寸GaAs单晶过程中的固液界面形状,发现晶体在生长过程中固液界面形状经历了由凹到凸的变化.数值模拟结果表明熔体中和晶体中的轴向温度梯度之比小于0.4时,固液界面为凸向熔体,与理论推导结果一致.模拟了晶体生长过程中固液界面附近的晶体中的热应力值,发现固液界面为平界面时晶体中的热应力具有最小值.推导计算了VGF GaAs单晶生长过程中固液界面凹(凸)度的临界值,当固液界面凹(凸)度小于该值时,晶体中的热应力低于临界剪切应力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黎建明		14	61	5.0	7.0
2	苏小平		15	133	7.0	11.0
3	涂凡		3	21	3.0	3.0
4	张峰燚		3	21	3.0	3.0
5	丁国强		3	21	3.0	3.0
6	王思爱		4	26	4.0	4.0