4H-SiC紫外光光电晶体管模拟与分析

• 作者: 史瑞 陈治明
• 来源期刊: 西安理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 4H碳化硅 紫外光电晶体管 模拟 光谱响应
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 1-6,封2
• 分类号: TN335
• 字数: 5047字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-4710.2011.01.001

摘要

根据光电晶体管的物理机理和SiC材料参数,建立了4H-SiC紫外光电晶体管的数值模型,利用Silvco软件对其I-V特性和光谱响应等特性进行了模拟与分析;通过研究4H-SiC紫外光电晶体管不同结构尺寸下的光谱响应特性,对其各区掺杂浓度与厚度等参数进行优化设计.结果表明,优化后的光电晶体管光谱响应范围为200～380 nm,峰值波长为270 nm,相应的响应度为300A/W,而对可见-红外光的响应度均小于2A/W,具有较高的紫外光分辨率,可以实现在较强的红外及可见光背景下有效地进行紫外光探测.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明	西安理工大学自动化与信息工程学院	83	498	11.0	18.0
2	史瑞	西安理工大学自动化与信息工程学院	1	7	1.0	1.0