分子束外延生长高速直接调制1.3μmInAs/GaAs量子点激光器

• 作者: 季海铭 徐鹏飞 杨涛
• 来源期刊: 黑龙江大学工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 直接调制 量子点激光器 分子束外延
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 学术专题
• 页码范围: 98-101
• 分类号: TN365
• 字数: 2742字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-008X.2011.03.014

摘要

介绍了分子束外延生长高速直接调制1.3μm InAs/CaAs量子点激光器.通过对量子点的生长温度和堆叠层数的优化研究,外延并制作了有源区包含5层InA/GaAs量子点的1.3μm脊型波导边发射激光器.输出特性测试结果表明,条宽4μm、腔长600 μm的量子点激光器室温阈值电流仅为5mA,激射中心波长位于1 293 nm,并且可以在10～100℃范围内实现连续激射.大信号调制眼图测试表明,激光器在25℃下可以实现12 Gb/s眼图的清晰张开.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨涛	中国科学院半导体研究所	132	1269	18.0	32.0
2	季海铭	中国科学院半导体研究所	2	4	1.0	2.0
3	徐鹏飞	中国科学院半导体研究所	2	1	1.0	1.0