注入电流对外腔半导体激光器边模抑制比的影响

• 作者: 何玉平 周寒青 李未
• 来源期刊: 南昌工程学院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光纤光栅外腔半导体激光器 注入电流 外腔长度 边模抑制比
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 49-52
• 分类号: TN248.4
• 字数: 1109字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-4869.2011.01.010

摘要

考虑半导体激光器(SL)、光纤光栅外腔(FGE)二者的共同作用,在确定光纤光栅外腔半导体激光器(FGESL)的激光纵模分布后,利用 FGESL满足的多模速率方程,研究了注入电流对FGESL边模抑制比的影响.数值模拟的结果表明:FGESL的边模抑制比(SMSR)随注入电流的增大总体上呈现上升趋势,但其变化过程中有波动,在短外腔时尤其明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李未	南昌工程学院理学系	20	31	3.0	4.0
2	何玉平	南昌工程学院理学系	25	55	4.0	6.0
3	周寒青	浙江工业大学理学院	6	7	2.0	2.0