硬盘基板化学机械粗抛光的实验研究

• 作者: 刘利宾 刘玉岭 杨立兵 林娜娜 王胜利
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: NiP/Al基板 SiO2磨料 单因素法 化学机械抛光(CMP) 粗糙度 去除速率
• 年，卷（期）: 2011,（12）
• 所属期刊栏目: 制造工艺技术
• 页码范围: 923-928
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2805字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.12.006

摘要

针对硬盘NiP/Al基板粗抛光,采用SiO2作为抛光磨料的碱性抛光液,在不同压力、转速、pH值、磨料浓度和活性剂体积浓度下,对硬盘基板粗抛光的去除速率和表面粗糙度的变化规律进行研究,用原子力显微镜观察抛光表面的微观形貌.最后对5个关键参数进行了优化.结果表明:当压力为0.10 MPa,转速为80 rad/min,pH值为11.2,磨料与去离子水体积比为1∶0.5,表面活性剂体积浓度为9 mL/L时,硬盘基板的去除速率为27 mg/min,粗抛后表面粗糙度为0.281 nm,获得了高的去除速率和较好的表面粗糙度,这样会大大降低精抛的时间,有利于抛光效率的提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	王胜利	河北工业大学微电子研究所	26	107	6.0	8.0
3	刘利宾	河北工业大学微电子研究所	4	7	2.0	2.0
4	林娜娜	河北工业大学微电子研究所	2	3	1.0	1.0
5	杨立兵	河北工业大学微电子研究所	4	10	2.0	3.0