CdSe薄膜的制备及性能表征

• 作者: 李婧 梁建 许并社 赵君芙 马淑芳 黄平
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 电化学沉积 CdSe薄膜 禁带宽度 沉积电压
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 60-65
• 分类号: O484
• 字数: 3525字
• 语种: 中文

摘要

室温下,以CdSO4H1SeO3和Na2SO4为原料,采用二电极体系,利用电化学法在ITO玻璃基底上沉积了CdSe薄膜.采用高分辨x射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)、紫外.可见.近红外(UV-VIS-NIR)分光光度计、荧光分光光度计(PL)对不同沉积电压下所制备的薄膜的晶体结构、形貌及光学性能进行分析表征.结果表明:所制备的薄膜为立方相CdSe,呈纳米颗粒状,部分粒子表现出不均匀团聚.紫外吸收光谱的吸收峰较体相CdSe有较大的蓝移,且导致禁带宽度发生改变,表现出量子尺寸效应.样品发射光谱表现出荧光现象,且单色性好.适当的沉积电压对CdSe薄膜的形貌和质量起关键作用,同时讨论了其反应机理.