硅片垫研磨的隐式和显式有限元仿真

• 作者: A.H.Zhao X.J. Xin Z.J. Pei 李玉生（译） 贺献宝（译）
• 来源期刊: 磨料磨具通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 有限元仿真 显式方法 隐式 研磨 硅片 平面磨削 波纹加工 仿真方法
• 年，卷（期）: zgcycl_2011,（3）
• 页码范围: 12-15
• 页数: 4页
• 分类号: TP212

摘要

超过90％的集成电路是用硅晶片来制作的。平面磨削是整平线切割后硅晶体的酋选技术。产生波纹，应用传统除。科学实验和有限元分析都表明，软垫磨削是。本文主要介绍去除线切割后硅晶体波纹加工的仿真方法。这种仿真方法即为使用ANSYS和LS—DYNA的隐式和显式有限元仿真法。接触算法在硅晶片磨削仿真中是很重要的，由于硅晶片的厚度和软垫厚度都在毫米范围内，与硅晶片直径相比较薄（硅晶片直径在数百毫米的范围内），而且硅晶片的波纹高度通常在几十微米的范围。因此，在接触算法里选择合适的穿透值是成败的关键。本文侧重于在隐式和显式方法里接触模型、相关单元类型和其他解决控制参数的选择的研究。这项研究将有帮助于寻找一个接触分析的类似仿真的广义方法。