高速集总型双耗尽电吸收调制器的研制

• 作者: 周代兵 汪洋 王圩 赵玲娟 邱应平 邵永波
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: “双耗尽”有源区 电容 静态消光比 RC常数 电荷层
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 789-792
• 分类号: TN491
• 语种: 中文

摘要

设计并研制了一种新的直脊波导集总型电吸收调制器——集总型双耗尽电吸收调制器（D-EAM）。同时，作为实验对照组，还制备了一种普通有源区结构的电吸收调制器（N—EAM）。两种器件的测试结果对比分析表明，D-EAM的电容明显要小于N—EAM。脊波导长度为250μm，宽度为2．5弘m的D-EAM在－3V偏压下电容为0．225pF，对应的调制带宽估算为28．3GHZ；1550nm输入波长条件下，D-EAM在偏压为－1V至－2V之间调制效率最大，达到10dB／V，而－3V、－6V下的调制深度分别为22dB和26dB，满足40Gbit／s光纤通信要求。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王圩	中国科学院半导体研究所材料开放实验室	47	124	6.0	7.0
2	汪洋	中国科学院半导体研究所材料开放实验室	112	1200	19.0	30.0
3	赵玲娟	中国科学院半导体研究所材料开放实验室	27	84	5.0	7.0
4	周代兵	中国科学院半导体研究所材料开放实验室	4	18	2.0	4.0
5	邱应平	中国科学院半导体研究所材料开放实验室	1	1	1.0	1.0
6	邵永波	中国科学院半导体研究所材料开放实验室	1	1	1.0	1.0