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摘要:
采用传统陶瓷制备方法,制备了一种B位多离子复合铁电体Bi(Zn1/2Ti1/2)O3改性BNT无铅压电陶瓷(1 -x)( Bi1/2 Nay2) TiO3-xBi( Zn1/2Ti1/2) O3(简写为(1-x)BNT- xBZT,x=O,0.01,0.02,0.03,0.04).研究了BZT对该体系陶瓷微结构和压电性能的影响.结果表明:在所研究的组成范围内,BZT不改变陶瓷的晶体结构,同时抑制晶粒长大.添加BZT明显改善陶瓷的压电常数d33,但机电耦合系数kp变化不明显.分析了影响压电常数d33与机电耦合系数kp的不同作用机理,发现陶瓷内部存在的内应力是引起压电常数d33变化的一个重要因素.
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文献信息
篇名 多离子复合铁电体Bi(Zn1/2Ti1/2)O3改性BNT陶瓷的微结构与电性能
来源期刊 人工晶体学报 学科 工学
关键词 钛酸铋钠 B位复合离子 压电性能
年,卷(期) 2011,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1157-1161
页数 分类号 TM282
字数 3592字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈国华 桂林电子科技大学材料科学与工程学院 128 849 15.0 22.0
2 周昌荣 桂林电子科技大学材料科学与工程学院 65 286 9.0 12.0
3 成钧 桂林电子科技大学材料科学与工程学院 51 227 8.0 11.0
4 李伟洲 广西大学材料科学与工程学院 45 200 6.0 12.0
5 杨华斌 桂林电子科技大学材料科学与工程学院 17 49 5.0 6.0
6 单旭 桂林电子科技大学材料科学与工程学院 3 5 2.0 2.0
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钛酸铋钠
B位复合离子
压电性能
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人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
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