牺牲Ni退火对硅衬底GaN基发光二极管P型接触影响的研究术

• 作者: 刘军林 封飞飞 张萌 熊传兵 王光绪 陶喜霞
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氯化镓 发光二极管．牺牲Ni退火 P型接触
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 808-813
• 分类号: TN304.23
• 语种: 中文

摘要

本文通过在硅衬底发光二极管（LED）薄膜p-GaN表面蒸发不同厚度的Ni覆盖层，将其在N2：O2=4：1的气氛中、400℃-750℃的温度范围内进行退火，在去掉薄膜表面Nj覆盖层之后制备Pt／p-GaN欧姆接触层．实验结果表明：退火温度和Ni覆盖层厚度均对硅衬底GaN基LED薄膜P型欧姆接触有重要影响，Ni覆盖退火能够显著降低P型层中Mg受主的激活温度．经牺牲Ni退火后，P型比接触电阻率随退火温度的升高呈先变小后变大的规律，随Ni覆盖层厚度的增加呈先变小后变大随后又变小的趋势；经过优化后，当Ni覆盖层厚度为1．5nm，退火温度为450℃，Pt与p-GaN比接触电阻率在不需要二次退火的情况下达到6．1×10^-5Ω·cm。．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王光绪	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	5	25	2.0	5.0
2	陶喜霞	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	2	7	1.0	2.0
3	熊传兵		1	1	1.0	1.0
4	刘军林		1	1	1.0	1.0
5	封飞飞	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	2	19	1.0	2.0