SRAM供电结构与SOC芯片供电网络设计优化

• 作者: 万培元 刘世勋 林平分 邓尧之
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 静态存储器 电阻压降 片上系统 存储器 供电网络
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与应用
• 页码范围: 312-315
• 分类号: TN305.94|TP331.1
• 字数: 2511字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.04.014

摘要

主要提出了一种优化SRAM供电结构的方案-裸露Metal4的SRAM供电网络.该方案可以在不增加使用绕线资源的条件下,显著地提升SRAM的供电以及整个芯片供电网络的性能.以一款数字电视解调芯片BTV2020为例,详细叙述了传统SRAM的供电结构,提出一种SRAM的供电结构及实现方法,以及对比了优化后的SRAM供电结构与传统SRAM供电结构,所构建的供电网络的最差电源电压降.最后通过流片结果证明本方案是有效可行的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	万培元	北京工业大学北京市嵌入式系统重点实验室	27	78	5.0	7.0
2	林平分	北京工业大学北京市嵌入式系统重点实验室	92	254	8.0	12.0
3	邓尧之	北京工业大学北京市嵌入式系统重点实验室	2	15	2.0	2.0
4	刘世勋	北京工业大学北京市嵌入式系统重点实验室	2	15	2.0	2.0