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SiO2/TiO2变折射率光学薄膜制造技术研究
SiO2/TiO2变折射率光学薄膜制造技术研究
作者:
宁晓阳
杭凌侠
潘永强
郭峰
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
SiO2/TiO2薄膜
单源混蒸
电子束蒸发
变折射率
摘要:
探讨了单源混蒸技术制备SiO2/TiO2变折射率薄膜的可行性,分别蒸发SiO2和TiO2质量比为1:1和1:2的混料,研究分析了薄膜折射率的变化情况,并将其与双源共蒸的方法进行了比较.实验中发现,两种材料蒸发方式的差异是影响SiO2/TiO2变折射率薄膜制备的主要因素,尚未发现混料中SiO2和TiO2的质量比与SiO2/TiO2薄膜折射率的对应关联.
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内容分析
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文献信息
篇名
SiO2/TiO2变折射率光学薄膜制造技术研究
来源期刊
表面技术
学科
工学
关键词
SiO2/TiO2薄膜
单源混蒸
电子束蒸发
变折射率
年,卷(期)
2011,(6)
所属期刊栏目
试验研究
研究方向
页码范围
58-61,77
页数
分类号
TG174.444|O484.4
字数
4061字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1001-3660.2011.06.017
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
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被引次数
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1
杭凌侠
93
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15.0
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潘永强
63
392
11.0
15.0
7
宁晓阳
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郭峰
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二级引证文献(2)
研究主题发展历程
节点文献
SiO2/TiO2薄膜
单源混蒸
电子束蒸发
变折射率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
表面技术
主办单位:
中国兵器工业第五九研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-3660
CN:
50-1083/TG
开本:
16开
出版地:
重庆市2331信箱(重庆市九龙破区石桥铺渝州路33号)
邮发代号:
78-31
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
5547
总下载数(次)
30
总被引数(次)
34163
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