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摘要:
探讨了单源混蒸技术制备SiO2/TiO2变折射率薄膜的可行性,分别蒸发SiO2和TiO2质量比为1:1和1:2的混料,研究分析了薄膜折射率的变化情况,并将其与双源共蒸的方法进行了比较.实验中发现,两种材料蒸发方式的差异是影响SiO2/TiO2变折射率薄膜制备的主要因素,尚未发现混料中SiO2和TiO2的质量比与SiO2/TiO2薄膜折射率的对应关联.
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内容分析
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文献信息
篇名 SiO2/TiO2变折射率光学薄膜制造技术研究
来源期刊 表面技术 学科 工学
关键词 SiO2/TiO2薄膜 单源混蒸 电子束蒸发 变折射率
年,卷(期) 2011,(6) 所属期刊栏目 试验研究
研究方向 页码范围 58-61,77
页数 分类号 TG174.444|O484.4
字数 4061字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-3660.2011.06.017
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杭凌侠 93 777 15.0 22.0
3 潘永强 63 392 11.0 15.0
7 宁晓阳 2 11 2.0 2.0
11 郭峰 5 12 2.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
SiO2/TiO2薄膜
单源混蒸
电子束蒸发
变折射率
研究起点
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研究分支
研究去脉
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期刊影响力
表面技术
月刊
1001-3660
50-1083/TG
16开
重庆市2331信箱(重庆市九龙破区石桥铺渝州路33号)
78-31
1972
chi
出版文献量(篇)
5547
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