后段工艺干法去除光刻胶研究

• 作者: 赖海长 郭兴龙
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 光刻胶 去胶 灰化 灰化率
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 23-26
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2330字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2011.06.007

摘要

干法去胶是用等离子体将光刻胶剥除,相对于湿法去胶,干法去胶的效果更好、速度更快.在现代集成电路制造中,干法去胶工艺加氟可有效地提高去除光刻胶的能力,特别是在离子注入之后的去胶工艺,含氟气体产生的氟离子可以防止光刻胶硬化.但在后段干法去胶工艺中,由于含氟气体的引入,会产生一系列的问题.因此,文中提出了对去胶气体组合配比进行改良,大量氧气加少量氮气的气体组合可以得到稳定的灰化率,且能减少机器零部件损耗并解决缺陷问题.提高晶圆反应温度可以大幅度提高灰化率,从而提高去胶设备的产能,降低工艺成本.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赖海长	上海交通大学微电子学院	1	2	1.0	1.0
2	郭兴龙	上海交通大学微电子学院	1	2	1.0	1.0