H原子在Si(111)-7×7表面吸附的STM研究

• 作者: 于迎辉 曹更玉 秦志辉 臧侃
• 来源期刊: 电子显微学报
• 学科: 工学
• 关键词: H Si(111)-7×7 局域电子态密度(LDOS) 单分子振动谱 扫描隧道显微镜(STM)
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 39-42
• 分类号: O562|TN16|TN115.21+5.9
• 字数: 2026字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6281.2011.01.007

摘要

利用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM),在液氮(78K)及液氦(4.2K)低温条件下研究了H/Si(111)-7×7吸附体系.H原子易于吸附在表面增原子(adatom)以及剩余原子(rest atom)的位置,导致表面局域电子态密度(LDOS)和STM图像发生明显的变化.利用扫描隧道谱技术(STS)测量获得了H吸附前后这些位置的LDOS并阐明了产生这些变化的原因,又测量获得了表面单分子Si-H化学键的振动和摆动模式.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于迎辉	中国科学院武汉物理与数学研究所	3	3	1.0	1.0
2	秦志辉	中国科学院武汉物理与数学研究所	3	3	1.0	1.0
3	臧侃	中国科学院武汉物理与数学研究所	1	1	1.0	1.0
7	曹更玉	中国科学院武汉物理与数学研究所	6	30	1.0	5.0