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摘要:
制备嵌入式多壁碳纳米管修饰石墨电极,利用循环伏安法(CV)研究灯盏花素在嵌入式多壁碳纳米管修饰石墨电极(ESCFE)上的电化学氧化行为,结果表明,灯盏花素在修饰电极上出现一对明显的准可逆氧化还原峰,峰电位分别为Epa=0.17 V和Epc=0.05 V(△E=0.12 V),峰电流分别为ipa=42.79μA,ipc=40.15μA(ipa/ipc=1.06).用差分脉冲伏安法(DPV)进行定量分析,在4.0×10-7~1.8×10-5g/L范围内,其浓度与氧化峰电流呈线性关系:ipa=2.4097c×10-6-0.2845(r=0.9994),检出限为2.4×10-7g/L(3S),测定灯盏花片中灯盏花素含量,结果也较满意,实验也表明,ESCFE修饰电极精密度和重复性优于碳纳米管修饰玻碳电极(MwNT/GCE),其峰电流值比MwNT/GCE提高了15倍.
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文献信息
篇名 嵌入式碳纳米管石墨电极测定灯盏花素的研究
来源期刊 化学研究与应用 学科 化学
关键词 嵌入式修饰电极 多壁碳纳米管 灯盏花素 循环伏安法 微分脉冲伏安法
年,卷(期) 2011,(6) 所属期刊栏目 研究简报
研究方向 页码范围 742-745
页数 分类号 O657.1
字数 2665字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-1656.2011.06.018
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嵌入式修饰电极
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循环伏安法
微分脉冲伏安法
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化学研究与应用
月刊
1004-1656
51-1378/O6
大16开
四川省成都市武侯区望江路29号四川大学化学学院内
62-180
1989
chi
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