2-μm GaAs HBT工艺的L型网络分布式放大器

• 作者: 张瑛 徐建 王志功 田密
• 来源期刊: 东南大学学报（英文版）
• 学科: 工学
• 关键词: 分布式放大器 L型网络 GaAs HBT工艺 超宽带
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 13-16
• 分类号: TN43
• 字数: 512字
• 语种: 英文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-7985.2011.01.003

摘要

首先对分布式放大器中L型和T型网络的频率特性进行了研究.分析表明,L型网络比T型网络在设计中具有更好的频率特性.基于稳懋半导体的2-μm GaAs HBT工艺实现了一种L型网络的分布式放大器.测试结果表明,在3～18 GHz频率范围内其增益为5.5 dB,增益平坦度为±1 dB,体现了很好的带宽性能.此外,在设计的频率范围内反射损耗S11,S22均低于-10 dB.在5 GHz时的1 dB压缩点处输出功率为13.3 dBm.芯片面积为0.95 mm2,在3.5 V电源下功耗为95 mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志功	东南大学射频与光电集成电路研究所	342	2153	20.0	29.0
2	张瑛	东南大学射频与光电集成电路研究所	15	133	6.0	11.0
3	徐建	东南大学射频与光电集成电路研究所	29	174	6.0	12.0
4	田密	东南大学射频与光电集成电路研究所	4	3	1.0	1.0