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Inelastic electron tunneling spectroscopy （IETS） study of high-k gate dielectrics
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摘要：
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文献信息
| 篇名 | Inelastic electron tunneling spectroscopy （IETS） study of high-k gate dielectrics | ||
| 来源期刊 | 中国科学 | 学科 | 物理学 |
| 关键词 | 隧道谱 非弹性 高k栅介质 电子 MOS器件 电气性能 介质结构 振动模式 | ||
| 年，卷（期） | zgkx_2011,（5） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 980-989 | |
| 页数 | 10页 | 分类号 | O511 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
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