p沟VDMOS的设计及抗辐照特性研究

• 作者: 何仕均 刘道广 周伟松 胡冬青 许军 郑君
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: p沟VDMOS:单粒子烧毁 单粒子栅击穿 辐照 线性能量转移
• 年，卷（期）: 2011,（12）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 905-909,928
• 分类号: TN306|TN386.1
• 字数: 3606字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.12.002

摘要

借助半导体仿真工具Silvaco中所提供的工艺摸拟器(Athena)和器件摸拟器( Atlas),及L-Edit版图设计工具,设计了一款击穿电压高于-90 V、阈值电压为-4V的p沟VDMOS器件.经实际流片测试,器件的导通电阻小于200 m Ω,跨导为5S,栅-源泄漏电流和零栅电压时的漏-源泄漏电流均在纳安量级水平,二极管正向压降约为-1V.采用2-D器件仿真方法以及相关物理模型对所设计的p沟VDMOS器件的单粒子烧毁(SEB)和单粒子栅击穿(SEGR)效应进行了分析和研究,并通过对所获得的器件样片采用钴-60 γ射线源进行辐照实验,研究了在一定剂量率、不同总剂量水平条件下辐照对所研制的p沟VDMOS器件相关电学参数的影响情况.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周伟松	清华大学核能与新能源技术研究院	24	291	10.0	16.0
2	刘道广	清华大学核能与新能源技术研究院	12	53	4.0	7.0
3	许军	清华大学微电子学研究所	32	200	7.0	13.0
4	胡冬青	北京工业大学电子信息与控制工程学院	27	114	7.0	9.0
5	何仕均	清华大学核能与新能源技术研究院	21	217	8.0	14.0
6	郑君	清华大学核能与新能源技术研究院	1	7	1.0	1.0