MOCVD法制备Cu掺杂ZnO薄膜

• 作者: 刘远达 吴国光 李万程 李国兴 李春野 杜国同 柳阳 梁红伟 许露 边继明
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Cu掺杂ZnO MOCVD 蓝紫光发射峰 光致发光
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 956-961
• 分类号: O472.3|O482.31
• 字数: 2467字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20113209.0956

摘要

通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备,在c-Al2 03衬底上生长本征和Cu掺杂ZnO( ZnO∶ Cu)薄膜.X射线衍射(XRD)谱观察到未掺杂的ZnO和ZnO∶ Cu样品都呈现出较好的c轴择优取向生长.X射线光电子能谱(XPS)表明Cu已掺入到ZnO薄膜中.利用光致发光(PL)测试对本征ZnO和ZnO∶ Cu进行室温和低温PL测试,在ZnO∶ Cu样品的低温PL谱中观察到一个强度很强、范围很广的蓝紫光发射峰(Blue-violet 发射峰,BV发射峰),范围在2.8～3.3 eV之间,又进一步通过变温PL测试发现随着温度的升高,BV发射峰峰位发生红移,且80 K时BV发射峰高能边出现自由电子向受主能级(eA0)的跃迁发光,并计算了Cu受主离化能.