溅射压强和退火气氛对Mg0.2Zn0.8O∶Al紫外透明导电薄膜结构与性能的影响

• 作者: 杨玲 江民红 燕红 王华 许积文
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Mg0.2Zn0.8O∶Al 紫外透明导电薄膜 磁控溅射 溅射压强 退火气氛 光电性能
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 页码范围: 1526-1530
• 分类号: O484
• 字数: 3650字
• 语种: 中文

摘要

以自制Mg0.2Zn0.8O∶Al陶瓷为靶材,采用室温溅射后续退火磁控溅射工艺制备了Mg0.2Zn0.8O∶Al紫外透明导电薄膜.研究了溅射压强和退火气氛对Mg0.2Zn0.8O∶Al薄膜结构和光电性能的影响.结果表明:溅射氩气压强不影响薄膜的相结构,但对薄膜的取向生长和结晶质量有一定影响；薄膜的方块电阻随溅射压强的增加先大幅减小后有所增大,溅射气压为2.0 Pa时,薄膜的方块电阻最低；不同溅射气压下制备薄膜的透光范围均已扩展到了紫外区域,而且具有85％以上的高透射率,但溅射气压对薄膜的带隙宽度和透光率没有明显影响；室温下溅射制备的薄膜经真空退火处理后其导电性能显著提高,但在空气中退火处理后其导电性能反而有所下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王华	桂林电子科技大学信息材料广西重点实验室	98	463	13.0	17.0
2	许积文	桂林电子科技大学信息材料广西重点实验室	68	171	6.0	10.0
3	杨玲	桂林电子科技大学信息材料广西重点实验室	35	103	6.0	8.0
4	江民红	桂林电子科技大学信息材料广西重点实验室	50	214	8.0	11.0
5	燕红	郑州铁路职业技术学院公共教学部	21	42	3.0	5.0