氧气流量对磁控溅射AZO薄膜光电性能的影响

• 作者: 丁宇 张晓静 曹智睿 田亚萍 蒋百灵 赵志明 马二云
• 来源期刊: 西安理工大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AZO薄膜 直流反应磁控溅射 氧气流量 光电性能
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 页码范围: 306-310
• 分类号: O484.1
• 字数: 3640字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-4710.2011.03.011

摘要

采用直流反应磁控溅射方法在载玻片基体上制备AZO薄膜,研究氧气流量对所制备AZO薄膜光电性能及微观结构的影响.结果表明,氧气流量显著影响AZO薄膜的光电性能和结晶状况,当氧气流量高于0.08×10-6 m3/s时所制备的薄膜可见光透过率高但薄膜不导电;当氧气流量低于0.04×10-6 m3/s时沉积的薄膜呈现出金属性特征,薄膜导电不透明;只有在一个较窄的氧气流量范围内才能制备出光电性能均优的AZO薄膜.当氧气流量为0.06×10-6 m3/s时沉积的AZO薄膜具有较低的电阻率,为2.39×10-3Ω·cm,且薄膜在可见光区薄膜的平均透过率在90％以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋百灵	西安理工大学材料科学与工程学院	241	5240	40.0	64.0
2	赵志明	西安理工大学材料科学与工程学院	22	50	4.0	6.0
3	丁宇	西安理工大学材料科学与工程学院	3	23	3.0	3.0
4	田亚萍	西安理工大学材料科学与工程学院	4	24	3.0	4.0
5	张晓静	西安理工大学材料科学与工程学院	8	26	3.0	5.0
6	马二云	西安理工大学材料科学与工程学院	6	12	2.0	3.0
7	曹智睿	西安理工大学材料科学与工程学院	4	22	2.0	4.0