4H-SiC材料中刃型位错的仿真模拟研究

• 作者: 张义门 张玉明 汤晓燕 苗瑞霞 黄鹤
• 来源期刊: 航空计算技术
• 关键词: 4H-SiC 刃型位错 第一性原理
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 计算方法
• 页码范围: 57-59,65
• 分类号: TP391.9
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-654X.2011.01.013

摘要

根据4H-SiC刃型位错的特点,在Castep软件中建立了6×6×1的刃型位错模型.基于第一性原理,利用Castep程序对刃型位错的相关性质进行了计算,并与完整晶格的模拟结果进行了对比.结果表明在引入刃型位错之后,4H-SiC材料的带隙变窄,在靠近导带底部态密度出现了一个新的峰值,这主要是由位错芯处的悬挂键在禁带中引入了一个缺陷能级所致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张玉明		9	23	3.0	4.0
2	张义门		10	25	3.0	4.0
3	汤晓燕		4	16	2.0	4.0
4	黄鹤		1	1	1.0	1.0