循环氧化／退火制备GeOI薄膜材料及其性质研究

• 作者: 徐剑芳 李成 胡美娇 赖虹凯 陈松岩
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: GeOI 氧化 退火 光致发光谱
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 779-783
• 分类号: TN304.12
• 语种: 中文

摘要

采用超高真空化学气相淀积系统在SOl（绝缘体上硅）衬底上生长了Si0.02 Ge0.18外延层，通过循环氧化／退火工艺，制备出Ge组分从0．24到1的绝缘体上锗硅（SGOI）材料．采用高分辨透射电镜、拉曼散射光谱和光致发光谱表征了其结构及光学性质，对氧化过程中SiGe层中的Ge组分和应变的演变进行了分析．最后制备出11 nm厚的绝缘体上Ge材料（GeOI），具有完整的晶格结构和平整的界面．室温下观测到绝缘体上Ge直接带跃迁光致发光，发光峰值位于1540nm，发光强度随激发功率线性变化．结果表明用循环氧化／退火方法制备的GeOI材料具有高的结晶质量，可用于Ge光电子和微电子器件．