碳化硅粒径分布对单晶硅线切割的影响

• 作者: 奚西峰 孙守振 王林勇
• 来源期刊: 中国粉体技术
• 关键词: 磨料 碳化硅 粒径分布 线切割
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 粉体加工与处理
• 页码范围: 52-54,58
• 分类号: TB44
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-5548.2011.01.015

摘要

研究不同粒度分布的碳化硅磨料时线切割硅片表面损伤的影响.利用激光粒度仪和扫描电镜对切割前后碳化硅粒径的变化及切割后硅片的形貌进行表征,通过实际切割过程分析.指出粒度分布不均引起的局部切割堵塞而导致的垂直于切割方向的左右侧滑振动.是导致表面损伤的主要因为.结果表明:当碳化硅的粒度分布窄时,线切割硅片表面损伤层浅,表面粗糙度小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙守振	西安交通大学能源与动力工程学院	1	8	1.0	1.0
2	王林勇	西安交通大学能源与动力工程学院	1	8	1.0	1.0
3	奚西峰	西安交通大学能源与动力工程学院	7	78	6.0	7.0