3英寸半绝缘4H-SiC单晶的研制

• 作者: 严如岳 冯玢 孟大磊 洪颖 王利杰 王香泉
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 3英寸(75 mm) 4H-SiC 电阻率 微管道缺陷 半高宽
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 8-10
• 分类号: TN304.24
• 字数: 1345字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.01.003

摘要

报道了采用物理气相传输(PVT)法进行SiC单晶生长方面取得的最新进展,成功研制得到固态微波器件急需的3英寸(75 mm)半绝缘4H-SiC衬底.使用计算机模拟技术,进行了3英寸(75 mm)4H-SiC晶体生长的热场设计,并在此基础上研制出适合3英寸(75 mm)4H-SiC PVT生长的晶体生长设备,采用喇曼光谱对晶体生长表面5点进行测试,结果均为单一的4H晶型,采用非接触电阻率面分布(COREMA)方法测得晶片电阻率为109～1012Ω·cm.微管道缺陷(MPD)测量采用熔融KOH腐蚀法,测得平均微管道密度为104个/cm2,其中晶片的30%区域微管道缺陷小于10个/cm2.使用X射线双晶衍射测试得到其半高宽(FWHM)为31 arcsec,说明所获得的晶体具有良好的结晶完整性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪颖	中国电子科技集团公司第四十六研究所	15	36	3.0	5.0
2	冯玢	中国电子科技集团公司第四十六研究所	14	26	3.0	4.0
3	王香泉	中国电子科技集团公司第四十六研究所	8	24	2.0	4.0
4	王利杰	中国电子科技集团公司第四十六研究所	8	30	3.0	5.0
5	孟大磊	中国电子科技集团公司第四十六研究所	10	9	1.0	2.0
6	严如岳	中国电子科技集团公司第四十六研究所	10	50	5.0	6.0