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摘要:
使用电子束蒸发镀膜方法在覆有掩膜板的SiO2/Si基片上制备了Ni80 Fe20/Al2 O3/Ag/Al2 O3/Ni80 Fe20结构平面自旋阀,研究了不同退火温度对Ni80 Fe20/Al2O3/Ag/Al2 O3/Ni80Fe20平面自旋阀中自旋积累的影响.使用非局域测量方法分别测量制备态以及300,400和500℃不同退火温度下Ni80 Fe20/Al2O3/Ag/Al2O3/Ni80Fe20平面自旋阀中Ag层中自旋积累信号的大小.实验结果表明:自旋积累信号在制备态下为1.3 mΩ;随着退火温度的升高,自旋积累信号也随着增大,并在500℃退火30 min后达到极大值(~14.5 mΩ),比制备态提高了一个数量级;进一步提高退火温度到600℃时,由于Ag层会凝聚成岛状结构而破坏Ni80 Fe20/Al2 O3/Ag/Al2 O3/Ni80 Fe20平面自旋阀中Ag层的连续性,使Ag层断裂,从而使测量到的自旋积累信号为0 mΩ.研究认为,Ni80 Fe20/Al2 O3/Ag/Al2O3/Ni80 Fe20平面自旋阀中自旋积累信号的增强主要是高的界面自旋极化率以及长的自旋扩散长度共同作用的结果.Ni80 Fe2/Al2O3/Ag/Al2 O3/Ni80 Fe20平面自旋阀中的铁磁/非磁金属界面处Al2O3插层的平整度在退火后得到改善,有效地提高了界面自旋极化率;同时,样品表面的Al2 O3保护层退火后对Ag层中自旋电子的散射作用的增强,提高了Ag中自旋电子的扩散长度.
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文献信息
篇名 退火对Ni80Fe20/Al2O3/Ag/Al2O3/Ni80Fe20平面自旋阀中自旋积累的影响
来源期刊 稀有金属 学科 工学
关键词 平面自旋阀 自旋积累信号 界面自旋极化率 自旋扩散长度
年,卷(期) 2011,(6) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 849-854
页数 分类号 TM271
字数 2901字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.0258-7076.2011.06.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 于广华 北京科技大学材料科学与工程学院 88 372 9.0 14.0
2 滕蛟 北京科技大学材料科学与工程学院 37 132 6.0 9.0
3 姜勇 北京科技大学材料科学与工程学院 32 119 7.0 9.0
4 王乐 北京科技大学材料科学与工程学院 8 35 4.0 5.0
5 冯春 北京科技大学材料科学与工程学院 18 55 5.0 6.0
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研究主题发展历程
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平面自旋阀
自旋积累信号
界面自旋极化率
自旋扩散长度
研究起点
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
稀有金属
月刊
0258-7076
11-2111/TF
大16开
北京新街口外大街2号
82-167
1977
chi
出版文献量(篇)
4172
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13
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39184
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
论文1v1指导