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摘要:
提出了一种作为无源射频(RFID)识别标签电源的光电二极管.此方案采用光电转换获取能量的方式替代传统电磁辐射获得能量的方式,克服了传统方案中RFID读写器辐射强且RFID Tag 抗干扰能力差的缺点.光电二极管采用标准UMC 0.18μm CMOS工艺制作在RFID Tag上.研究了光电二极管的光伏及伏安特性,并给出了实验结果;使用低压测试电路对制作完毕的PD进行了功率输出性能实验,实验结果证明PD 满足设计指标和后续电路的使用要求;对实验数据进行系统建模和参数估计,建立了可以应用于Cadence仿真环境的光电二极管模型;最后,利用仿真模型进行光标签的设计,流片测试结果证明了光标签的可行性.
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内容分析
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文献信息
篇名 标准CMOS工艺光电二极管及光标签的研制
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 射频识别 互补型金属氧化物半导体 光电二极管 仿真模型 光标签
年,卷(期) 2011,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 104-107
页数 分类号 TN364.2
字数 2463字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.02.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张春 清华大学微电子研究所 105 832 14.0 25.0
2 魏琪 清华大学微电子研究所 1 1 1.0 1.0
传播情况
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2014(1)
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研究主题发展历程
节点文献
射频识别
互补型金属氧化物半导体
光电二极管
仿真模型
光标签
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
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