Co-Se化合物薄膜的电沉积制备与表征

• 作者: 刘业翔 刘芳洋 张治安 李劼 王博 赖延清
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: CoSe薄膜 循环伏安 欠电位沉积 带隙宽度 太阳电池
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 403-410
• 页数: 8页
• 分类号: TM615
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1077.2011.00403

摘要

采用电沉积方法在SnO2玻璃基底上制备了Co-Se化合物薄膜.研究了薄膜形成的电化学机理和电沉积工艺对薄膜组成与形貌的影响,并表征了薄膜的结构与光学性质.结果表明:Co2+受预沉积Se的表面诱导还原或直接与H2SeO3的六电子还原反应产物H2Se发生反应形成Co-Se化合物;沉积电位、沉积温度和pH值均显著影响电沉积Co-Se化合物薄膜的形貌与成分;在沉积电位为-0.5V(vs SCE)、沉积温度为50℃和pH值为2.0时可制备出表面致密平格且呈六方晶型结构的富硒CoSe薄膜,其光吸收系数达到1×105 cm-1,直接带隙宽度为(1.53±0.01)eV,接近单结太阳电池光吸收层材料的理论最佳值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘业翔		179	2522	25.0	39.0
2	李劼		259	2311	22.0	31.0
3	赖延清		224	2239	23.0	32.0
4	张治安		45	435	13.0	18.0
5	刘芳洋		29	88	7.0	9.0
6	王博		8	28	3.0	5.0