S波段脉冲大功率SiC MESFET

• 作者: 商庆杰 杨霏 潘宏菽 闫锐 霍玉柱 默江辉
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 金属-肖特基势垒场效应晶体管(MESFET) S波段 脉冲 大功率
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 12-14,20
• 分类号: TN386.3|TN304.24
• 字数: 1340字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2011.01.003

摘要

采用自主开发的3英寸(75 mm)SiC外延技术和SiC MESFET的设计及工艺加工技术,成功地实现了S波段中长脉宽条件下(脉宽300μs,占空比10%),输出功率大于200 W,功率增益大于11 dB,功率附加效率大于30%的性能样管,脉冲顶降小于0.5 dB,实现了大功率输出条件下的较高功率增益和功率附加效率及较小的脉冲顶降,初步显示了SiC功率器件的优势.器件设计采用多胞合成技术,为减小引线电感对功率增益的影响,采用了源引线双边接地技术;为提高器件的工作频率,采用了电子束写栅技术;为提高栅的可靠性,采用了加厚栅金属和国家授权的栅平坦化发明专利技术;同时采用了以金为主体的多层难熔金属化系统,提高了器件的抗电迁徙能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘宏菽		7	38	4.0	6.0
2	默江辉		3	9	2.0	3.0
3	霍玉柱		3	28	3.0	3.0
4	杨霏		2	19	2.0	2.0
5	商庆杰		1	6	1.0	1.0
6	闫锐		1	6	1.0	1.0