蓝宝石图形衬底上GaN低温缓冲层的研究

• 作者: 吴猛 曾一平 王军喜 胡强
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 蓝宝石图形衬底 选择性生长 发光二极管 缓冲层
• 年，卷（期）: 2011,（10）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 760-764
• 分类号: TN304.23
• 字数: 2523字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.10.006

摘要

低温下,在蓝宝石图形衬底上使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长低温GaN( LT-GaN)缓冲层,并对其表面形貌进行了细致的观察,发现了不同于已报道的GaN选择性成核生长现象.基于不同厚度的低温GaN缓冲层生长了n型GaN (n-GaN),发现过厚或者过薄的缓冲层都会对n-GaN晶体质量产生负面影响,并结合初始成核阶段进行了原因分析.制备了基于不同厚度的n-GaN的发光二极管(LED)样品,分析了GaN晶体质量对LED输出功率的影响.同时发现,晶体质量较差的时候,光提取效率可能主导着对LED器件性能的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾一平	中国科学院半导体研究所半导体材料科学中心	85	439	11.0	16.0
10	胡强	中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心	16	58	3.0	7.0
11	王军喜	中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心	32	155	8.0	10.0
12	吴猛	中国科学院半导体研究所半导体材料科学中心	1	2	1.0	1.0