磁控溅射气体参数对氧化铟薄膜特性的影响

• 作者: 原子健 吴惠桢 张兵坡 才玺坤 朱夏明 邱东江
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: In2O3 磁控溅射 溅射气压 电学特性 氧空位
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 17-21
• 分类号: O484
• 字数: 3358字
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射法生长氧化铟薄膜,研究了溅射气压和溅射气体对氧化铟薄膜结构及光电特性的影响.X射线衍射结果表明制得的薄膜为立方结构的多晶体,随着溅射气压的升高,薄膜晶粒尺寸变大.1 Pa下沉积的氧化铟薄膜具有最大的迁移率和最小的载流子浓度,分别为15.2 cm2/V·s和1.19×1019cm-3.用O2溅射的氧化铟薄膜载流子浓度降至4.39×1013cm-3,在红外区(1.5～5.5μm)的平均透射率为85%,高于Ar溅射的薄膜,这可能是由于O2的加入减少了氧空位,降低了载流子浓度,使得自由载流子对红外光的吸收减弱.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴惠桢	浙江大学物理系	37	219	9.0	12.0
2	邱东江	浙江大学物理系	22	144	8.0	11.0
3	才玺坤	浙江大学物理系	2	15	2.0	2.0
4	原子健	浙江大学物理系	3	13	2.0	3.0
5	朱夏明	浙江大学物理系	2	11	1.0	2.0
6	张兵坡	浙江大学物理系	5	33	4.0	5.0