晶片CMP后表面纳米颗粒的去除研究

• 作者: 刘玉岭 刘金玉 檀柏梅 牛新环 陈海涛
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 清洗 电化学 纳米颗粒 兆声清洗
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 制造工艺技术
• 页码范围: 11-13,21
• 分类号: TN305.97
• 字数: 2375字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.01.004

摘要

对晶片化学机械抛光(CMP)后表面吸附的纳米颗粒去除进行了研究,分析了晶片表面吸附物的种类及吸附机理.由于晶片表面吸附的有机物多为大分子物质,它在晶片表面的吸附除了容易处理的物理吸附外,还会和晶片表面构成化学键,形成难以处理的化学吸附.对清洗过程中颗粒的去除有严重的影响,提出利用电化学清洗,结合表面活性剂和兆声波清洗的方法去除晶片表面的纳米颗粒.经金相显微镜观察和原子力显微镜检测,晶片表面纳米颗粒能得到很好地去除,效果明显优于单纯的兆声波清洗方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	檀柏梅	河北工业大学微电子研究所	85	534	13.0	18.0
2	刘金玉	河北工业大学微电子研究所	4	22	2.0	4.0
3	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
4	牛新环	河北工业大学微电子研究所	69	406	10.0	17.0
5	陈海涛	河北工业大学微电子研究所	1	4	1.0	1.0