高择优取向Mo薄膜的直流磁控溅射制备及其电学性能

• 作者: 徐鹏 王震东 范定环 赖珍荃
• 来源期刊: 光子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 直流磁控溅射 Mo薄膜 高择优取向 电学性能
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 所属期刊栏目: 薄膜光学
• 页码范围: 1342-1345
• 分类号: O484
• 字数: 2434字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/gzxb20114009.1342

摘要

使用直流磁控溅射法在玻璃基底上沉积Mo薄膜,采用X射线衍射仪、原子力显微镜和四探针测试系统研究了溅射工艺对Mo薄膜的结构、形貌和电学性能的影响.结果表明:当基片温度为150℃时,薄膜获得(211)晶面择优取向生长,而在低于250℃的其它温度条件下,样品则表现为(110)晶面择优取向生长.进一步的表面形貌分析显示:薄膜的粗糙度随基片温度变化不明显,其值大约为0,35 nm,随溅射功率密度的增大而变大;电学性能方面:随着溅射功率密度的升高,薄膜导电性能迅速增强,电阻率呈现近似指数函数衰减;随着基底温度的升高,薄膜的电阻率先减小后增大,当基底温度为150℃时,薄膜电阻率降低至最小值2.02×10-5 Ω·cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赖珍荃	南昌大学物理系	20	139	7.0	10.0
2	王震东	南昌大学物理系	11	46	3.0	6.0
3	徐鹏	南昌大学物理系	28	160	8.0	11.0
4	范定环	南昌大学物理系	7	28	3.0	5.0