输出窗的二次电子的作用及其抑制措施

• 作者: 张永清 郑晓阳
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 次级电子 倍增效应 介质损耗
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 工艺与应用
• 页码范围: 59-61
• 分类号: TN103
• 字数: 3351字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2011.03.014

摘要

论述了造成微波输出窗损坏的各种因素,指出了次级电子的倍增效应是输出窗损坏的主要原因.在抑制次级电子发射的工艺措施中,详细介绍了氮化钛薄膜的性能、以及磁控溅射敷膜工艺的特点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张永清	中国科学院电子学研究所中国科学院高功率微波源与技术重点实验室	32	207	8.0	14.0
2	郑晓阳	中国科学院电子学研究所中国科学院高功率微波源与技术重点实验室	3	6	2.0	2.0