成型温度对多孔SiC陶瓷性能的影响

• 作者: 刘中国 张凯红 李自强 杨阳 赵宏生
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 碳化硅 多孔陶瓷 成型温度 包混工艺 复合添加
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 工艺
• 页码范围: 58-61
• 分类号: TQ174
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2011.05.013

摘要

以包混工艺合成了核-壳结构的先驱体粉体,并引入少量Al<,2>O<,3>,SiO<,2>和Y<,2>O<,3>作为复合添加剂,通过模压成型、炭化和烧结工艺制备了多孔碳化硅陶瓷;研究了成型温度对样品的孔隙率、密度、热膨胀系数、抗弯强度和热震性能的影响.结果表明:成型温度对多孔碳化硅陶瓷的孔隙率、密度、抗弯强度及热震性能均产生了显著影响,对热膨胀系数影响较小.在80℃成型的多孔碳化硅陶瓷综合性能较佳,过低的成型温度使包覆在核-壳结构先驱体粉体外层的钡酚醛树脂不能充分流动,使最终多孔碳化硅陶瓷样品结构松散、强度降低;而过高的成型温度使钡酚醛树脂过分流动,对添加剂粉体形成包覆再经过炭化后阻碍了添加粉体的充分接触,未能起到烧结助剂的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李自强	清华大学核能与新能源技术研究院	17	113	7.0	10.0
2	杨阳	清华大学核能与新能源技术研究院	31	190	8.0	12.0
3	赵宏生	清华大学核能与新能源技术研究院	33	285	10.0	15.0
4	刘中国	清华大学核能与新能源技术研究院	3	20	2.0	3.0
5	张凯红	清华大学核能与新能源技术研究院	8	80	4.0	8.0